Frete Grátis
  • Google Plus

Fundamentals Of III-V Semiconductor Mosfets (Cód: 7050419)

Serge Oktyabrsky; Peide Ye

SPRINGER VERLAG POD

Ooopss! Este produto está temporariamente indisponível.
Mas não se preocupe, nós avisamos quando ele chegar.

Ooops! Este produto não está mais a venda.
Mas não se preocupe, temos uma versão atualizada para você.

Ooopss! Este produto está fora de linha, mas temos outras opções para você.
Veja nossas sugestões abaixo!

R$ 1.439,60 em até 10x de R$ 143,96 sem juros
Cartão Saraiva R$ 1.367,62 (-5%) em até 1x no cartão ou em até 12x de R$ 119,97 sem juros
Grátis

Cartão Saraiva

Descrição

Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a
future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a review of specific properties of III-V semiconductors and available technologies making them attractive to MOSFET technology, such as
band-engineered heterostructures, effect of strain, nanoscale control during epitaxial growth. Due to the lack of thermodynamically stable native oxides on III-V's (such as SiO2 on Si), high-k oxides are the natural choice of
dielectrics for III-V MOSFETs. The key challenge of the III-V MOSFET technology is a high-quality, thermodynamically stable gate dielectric that passivates the interface states, similar to SiO2 on Si. Several chapters give a
detailed description of materials science and electronic behavior of various dielectrics and related interfaces, as well as physics of fabricated devices and MOSFET fabrication technologies. Topics also include recent progress
and understanding of various materials systems; specific issues for electrical measurement of gate stacks and FETs with low and wide bandgap channels and high interface trap density; possible paths of integration of different
semiconductor materials on Si platform.

Características

Produto sob encomenda Sim
Marca SPRINGER VERLAG POD
Cód. Barras 9781441915467
Altura 23.40 cm
I.S.B.N. 9781441915467
Profundidade 2.54 cm
Referência 9781441915467
Ano da edição 2010
Idioma Inglês
Número de Páginas 464
Peso 0.45 Kg
Largura 15.60 cm
AutorSerge Oktyabrsky; Peide Ye

Avaliações

Avaliação geral: 0

Você está revisando: Fundamentals Of III-V Semiconductor Mosfets